Article

Article title GALLIUM ARSENIDE EPITAXIAL STRUCTURES LOCAL ANODIC OXIDATION REGIMES INVESTIGATION
Authors O.A. Ageev, V.A. Smirnov, M.S. Solodovnik, V.I. Avilov
Section SECTION I. NANOELECTRONICS
Month, Year 04, 2011 @en
Index UDC 621.38-022.532
DOI
Abstract In work results of experimental researches of arsenide gallium epitaxial structures local anodic oxidation (LAO) modes are presented. Influence of amplitude and duration of voltage impulses enclosed to probe-substrate system, for the oxide nanostructures (ONS) geometrical sizes, generated in an arsenide gallium layer is investigated. It is established that the increase in relative humidity with 70±1 to 90±1 %, leads to increase ONS height and diameter and is accompanied by decrease in amplitude with 7 to 6 V.

Download PDF

Keywords Nanolithography; local anodic oxidation; atomic force microscopy; oxide nanostructures; gallium arsenide.
References 1. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике. – М.: Техносфера, 2005. – 448 с.
2. Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. – М.: Техносфера, 2006. – 160 с.
3. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А. и др. Фотоактивация процессов формирования наноструктур методом локального анодного окисления пленки титана // Известия высших учебных заведений // Электроника. – 2010. – № 2 (82). – С. 23-30.
4. Официальный сайт ЗАО «Нанотехнология - МДТ» http://www.ntmdt.ru.
5. МВИ 14-2009 Методика в ыполнения измерений геометрических параметров массивов оксидных наноразмерных с труктур методом атомно-силовой микроскопии.
6. Bhushan B. Springer Handbоok of Nanotechnology // 3rd edition, 2010. – 1964 p.

Comments are closed.