Article

Article title OBTAINING AND INVESTIGATION OF HEMT-STRUCTURE BASED ON GaAs FOR ULTRA HIGH FREQUENCY FIELD EFFECT TRANSISTORS AT NANOTECHNOLOGICAL SYSTEM NANOFAB NTF-9
Authors O.A. Ageev, Yu.N. Varzarev, A.V. Rukomoykin, M.S. Solodovnik
Section SECTION I. NANOELECTRONICS
Month, Year 04, 2011 @en
Index UDC 621.373.8.002
DOI
Abstract Different types of heterostructures with selective doping based on GaAs for making microwave electronics was obtain by method molecular-beam epitaxy, integrated in consist ultrahigh-vacuum nanotechnological system NANOFAB NTF-9. HEMT structure of optimihave concentration carrier 1,28·1012 cm-3 and mobility 5465 cm2/V·s. In structures of type pHEMT carrier mobility achieve 7400 cm2/V·s at concentration 1,83·1012 cm-3. All types HEMT structure have high homogeneity and reproducibility parameter.

Download PDF

Keywords Molecular-beam epitaxy; GaAs; heterostructures; HEMT; pHEMT.
References 1. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. – М.: Мир, 1991. – 632 с.
2. Егоров А.Ю., Гладышев А.Г., Никитина Е.В. и др. Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием // Физика и техника полупроводников. – 2010. – № 7 (44). – С. 950-954.
3. Коноплёв Б.Г., Агеев О.А. Элионные и зондовые нанотехнологии для микро- и наносистемной техники // Известия ЮФУ. Технические науки. – 2008. – № 12 (89). – С. 165-175.
4. Василевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А. и др. Электрофизические и структурные свойства двусторонне δ-легировванных PHEMT-гетероструктур на основе Al-GaAs/InGaAs/AlGaAs // Физика и техника полупроводников. – 2008. – № 9 (42). – С. 1102-1109.
5. Ayers John E. Heteroepitaxy of semiconductors: theory, growth and characterization – Taylor & Francis Group, 2007. – 447 p.

Comments are closed.