Статья

Название статьи МЕТОД ПОСТРОЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМ ОПТИЧЕСКОЙ КОММУТАЦИИ МНОГОЯДЕРНЫХ УБИС
Автор Б.Г. Коноплев, Е.А. Рындин, М.А. Денисенко
Рубрика РАЗДЕЛ I. НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Месяц, год 04, 2011
Индекс УДК 621.3.049.771.14
DOI
Аннотация Рассматривается метод построения систем оптической коммутации многоядерных ультрабольших интегральных схем (УБИС). Предложены метод построения и структура интегральных источников оптического излучения с функционально интегрированными амплитудными модуляторами на основе управляемой электрическим полем передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях, обеспечивающих за счет функциональной интеграции повышение быстродействия интегральных систем оптической коммутации и возможность изготовления всех элементов данных систем в едином технологическом цикле. Обсуждаются актуальные проблемы проектирования быстродействующих оптоэлектронных интегральных схем.

Скачать в PDF

Ключевые слова УБИС; коммутация ядер; гетероструктура; интегральный инжекционный лазер; терагерцовый диапазон.
Библиографический список 1. Chau R. et al. Low-dimensional Systems and Nanostructures // Physica E. – 2003. – Vol. 19, Issues 1-2. – P. 1.
2. Vlasov Y., Green W.M.J., Xia F. High-throughput silicon nanophotonic wavelength-insensitive switch for on-chip optical networks // Nature Photonics. – 2008. – № 2. – P. 242-246.
3. Алферов Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепция и применение в физике, электронике и технологии // Успехи физических наук. – 2002. – № 9 (172). – С. 1068-1086.
4. Малышев В.А. Основы квантовой электроники и лазерной техники: Учеб. для вузов. – М.: Высшая школа, 2005. – 543 с.
5. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок // Успехи физических наук. – 2008. – № 5 (178). – С. 459-480.
6. Konoplev B.G., Ryndin E.A. A Study of the Transport of Charge Carriers in Coupled Quantum Region // Semiconductors. – 2008. – Vol. 42, № 13. – P. 1462-1468.
7. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А. Интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда // Патент РФ 2400000, 2010.
8. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А. Интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда // Вестник Южного научного центра РАН. – 2010. – № 3 (6). – С. 5-11.

Comments are closed.