Article

Article title METHOD OF CONSTRUCTING INTEGRATED SWITCHING SYSTEMS OF MULTI-CORE ULSI
Authors B.G. Konoplev, E.A. Ryndin, M.A. Denisenko
Section SECTION I. NANOELECTRONICS
Month, Year 04, 2011 @en
Index UDC 621.3.049.771.14
DOI
Abstract A method of constructing optical multi-switching systems of ultra large scale integrated circuits (ULSI) is considered in this paper. A method of constructing and a structure of integrated sources of optical radiation with functionally integrated amplitude modulators based on the managed by electric field carrier wave-function-rearrangement in quantum wells, which allow increase the speed of optical multi-switching systems and manufacture all elements of these systems in single technological cycle, were proposed. Discuss topical problems of designing high-speed optoelectronic integrated circuits.

Download PDF

Keywords ULSI; switching kernels; heterostructure; integrated injection laser; terahertz band.
References 1. Chau R. et al. Low-dimensional Systems and Nanostructures // Physica E. – 2003. – Vol. 19, Issues 1-2. – P. 1.
2. Vlasov Y., Green W.M.J., Xia F. High-throughput silicon nanophotonic wavelength-insensitive switch for on-chip optical networks // Nature Photonics. – 2008. – № 2. – P. 242-246.
3. Алферов Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепция и применение в физике, электронике и технологии // Успехи физических наук. – 2002. – № 9 (172). – С. 1068-1086.
4. Малышев В.А. Основы квантовой электроники и лазерной техники: Учеб. для вузов. – М.: Высшая школа, 2005. – 543 с.
5. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок // Успехи физических наук. – 2008. – № 5 (178). – С. 459-480.
6. Konoplev B.G., Ryndin E.A. A Study of the Transport of Charge Carriers in Coupled Quantum Region // Semiconductors. – 2008. – Vol. 42, № 13. – P. 1462-1468.
7. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А. Интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда // Патент РФ 2400000, 2010.
8. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А. Интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда // Вестник Южного научного центра РАН. – 2010. – № 3 (6). – С. 5-11.

Comments are closed.