Article

Article title THE EVALUATION OF THE CHARACTERISTICS OF FIELD EMISSION NANOSTRUCTURES BASED ON SI AND SIC
Authors A.M. Svetlichnyi, O.B. Spiridonov, E.Y. Volkov, L.G. Linets, M.N. Grigoriev
Section SECTION I. NANOELECTRONICS
Month, Year 04, 2011 @en
Index UDC 621.385.002
DOI
Abstract The evaluation of the characteristics of field emission nanostructures based on silicon carbide (SiC) and silicon (Si) was carried out. The dependence of the field emission current density from the electric field was determined. Current-voltage characteristics of SiC and Si cathodes were plotted. Also the estimation of the limiting field emission current density necessary for cathode thermostability was provided. The interrelation of the limiting current density on the design of the cathode was investigated. Analysis showed that the nanostructures of silicon carbide is suitable for use in nanoelectronic devices due to its advanced characteristics.

Download PDF

Keywords SiC; field emission; nanostructures Si.
References 1. Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссиониые свойства углеродных материалов. – М.: Изд-во МФТИ, 2001. – С. 5-7.
2. Лебедев А.А., Котоусова И.С. Формирование наноуглеродных пленок на поверхности SiC методом сублимации в вакууме // Физика твердого тела. – 2009. – Т. 51. – Вып. 4. – C. 783-786.
3. Конакова Р.В., Охрименко О.Б., Светличный А.М., Волков Е.Ю. Оценка возможности изготовления автоэмиссионных наноструктур на основе графена // Материалы конференции «Наноструктурные материалы - 2010». – Киев, 2010. – С. 249.
4. Спроул Р. Современная физика / Пер. с англ.; Под ред. В.И. Когана. – 2-е изд., перераб. – М.: Наука: Гл. ред. физ-мат. лит., 1974. – С. 441-442.
5. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. – М.: Физматлит, 1958. – С. 75-86.
6. Литвинов Е.А., Месяц Г.А. Автоэмиссионные и взрывоэмиссионные процессы при вакуумных разрядах // Успехи физических наук. – 1983. – Т. 139. – Вып. 2. – С. 266-272.

Comments are closed.