Article

Article title VOLTAGE REFERENCE BASED ON THE WIDTH SILICON BAND GAP
Authors E.I. Starchenko, P.S. Kuznetsov
Section SECTION II. COMPOSITE FUNCTIONAL BLOCKS OF THE DISPLACED SYSTEMS ON THE CRYSTAL
Month, Year 02, 2011 @en
Index UDC 621.315.722
DOI
Abstract Consider circuit design methods for constructing integrated voltage references, determined band gap of silicon and which, in addition to temperature stability, resistance to radiation. The evaluation of the sensitivity of the sources in the reference voltage to the conditions set.

Download PDF

Keywords Radiation hardness; MOSFETs.
References 1. Widlar R.J. New development is voltage regulators // Journal of Solid-State Cercuit. – 1971. – Vol. SC-6, № 2. – P. 2-7.
2. Старченко Е.И. Источники опорного напряжения на основе АБМК // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. – 2010: Сб. трудов / Под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. – М.: ИППМ РАН, 2010. – С. 559-564.
3. Старченко Е.И. Особенности схемотехники операционных усилителей, стойких к воздействию потока нейтронов // Микропроцессорные аналоговые и цифровые системы: проектирование и схемотехника, теория и вопросы применения: Материалы III Международ. науч.-практич. конф. – Новочеркасск: ЮРГТУ (НПИ), 2003. – С. 19-23.
4. Дворников О.В. Аналоговый биполярно-полевой БМК с расширенными функциональными возможностями // Chip News. – 1999. – № 2. – С. 21-23.

Comments are closed.