Article

Article title POTENTIAL DISTRIBUTION IN SHOTTKY BARRIERS ON BASIS OF Si1-xGex
Authors A.G. Zakharov, S.A. Bogdanov, A.A. Lytyuk
Section SECTION IV. NATURAL SCIENCES
Month, Year 02, 2010 @en
Index UDC 621.382.22
DOI
Abstract Simulation of potential distribution in semiconductor space-charge region of metal-Si1-xGex nanocontact is presented. Characteristics of electrically active impurities distribution in semiconductor are taken into account in simulation. Results of work could be used in designing and manufacturing of very high speed electronics based on nanometrical heterostructures and sensors with improved values of certain parameters.

Download PDF

Keywords Semiconductor compound Si1-xGex; Poisson equation; planar contact; edge effects; cylindrical contact; spherical contact; ion implantation; Gauss principal; impurity distribution.
References 1. Турчак Л.И., Плотников П.В. Основы численных методов: Учебное пособие. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005. – 304 с.
2. Захаров А.Г., Котов В.Н., Богданов С.А. Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 4.
3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1 / Пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
4. Das R. et al. Studies on the electrical characteristics of Ni and NiPt-alloy silicided Schottky diodes // Proceedings of the XXVIIIth General Assembly of International Union of Radio Science in New Delhi. October, 2005.
5. Jiang R.L. et al. Properties of Schottky contact of Al on SiGe alloys // Appl.Phys.Lett., vol.68, No.8, February, 1996.
6. Востоков Н.В., Шашкин В.И. Электрические свойства наноконтактов металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. – 2004. Т. 38. Вып. 9. – С. 1084-1088.
7. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) / Пер. с англ./Под ред. Гусева В.М. – М.: Мир, 1973. – 296 с.
8. Пирс К. и др. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1.Пер. с англ. / Под ред. С.Зи. – М.: Мир,1986. – 404 с.
9. Wittmann R., Hцssinger A., Selbeherr S. Monte-Carlo simulation of ion implantation in silicon-germanium alloys / Proceedings ESS.1, 35, 2003.

Comments are closed.