Article

Article title EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF TEMPERATURE DISTRIBUTION IN CRYSTAL OF SAPPHIRE GROUTH BY HORIZONTAL DIRECTED CRYSTALLIZATION
Authors S.P. Malyukov. V.I. Zaycev, S.N. Nelina
Section SECTION V. MODELING OF COMPLEX SYSTEMS
Month, Year 12, 2009 @en
Index UDC 621.315.592
DOI
Abstract The structural perfection of crystals growth by artificial way depends on growth conditions that created into crystallization chamber. The temperature field in the chamber and in the melt – crystal system was detail investigate to achieve information about thermal conditions of sapphire crystals growth.

Download PDF

Keywords Temperature field; growth; melt; crystal; sapphire.
References 1. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А., Белых И.Г. Тепло- и массоперенос при выращивании монокристаллов направленной кристаллизацией. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007. – 224 с.
2. Лингарт Ю.К., Петров В.А., Тихонова Н.А. Оптические свойства лейкосапфира при высоких температурах. 1. Область полупрозрачности // Теплофизика высоких температур. – 1982. – Т. 20, Ч. 1. – С. 872-880.
3. Малюков С.П., Нелина С.Н. Влияние изменения мощности нагревателя на качество монокристаллов лейкосапфира, выращиваемых методом горизонтально – направленной кристаллизации // 14-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2007»: Тезисы докладов. – М.: МИЭТ, 2007. – C. 117.

Comments are closed.