Article

Article title SIMULATION OF POTENTIAL DISTRIBUTION IN SHOTTKY BARRIERS ON BASIS OF Si1-xGEx
Authors A.G. Zakharov, S.A. Bogdanov, A.A. Lytyuk
Section SECTION II. MATHEMATICAL MODELING OF THE PHYSICAL PROCESSES
Month, Year 08, 2009 @en
Index UDC 621.382.22
DOI
Abstract Simulation of potential distribution in semiconductor space-charge region of metal-Si1-xGEx contact is discussed. Characteristics of electrically active impurities distribution in semiconductor, caused by different technological processes for integrated circuits manufacturing, are taken into account during simulation.

Download PDF

Keywords Semiconductor compound Si1-xGEx; Poisson equation; molecalar-beam epitaxy; Monte-Carlo method; ion implantation; Gauss distribution; Pirson distribution; finite differences method.
References 1. Пирс К. и др. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1; Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. – М.: Мир,1986. – 404 с.
2. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках; Пер. с англ / Под ред. Л.Л. Коренблита. – М.: Мир, 1964. – 392 с.
3. Lhermite H. et al. Analysis of the field effect in metal-oxide-small grain polysilicon structure – experimentation and modeling // IEEE transactions on electron devices. – May 1988. – vol.15. – №5.
4. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – 2 изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1984. – 352 с.
5. Песков Н.В. Численное моделирование миграции атомов Ga в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs // Математическое моделирование. – 1995. – T. 7. №3.
6. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий); Пер. с англ./Под ред. Гусева В.М. – М.: Мир, 1973. – 296 с.
7. Антонетти П. и др. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов; Пер. с англ. В.Л. Кустова и др. Под ред. Суриса Р.А. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
8. Турчак Л.И., Плотников П.В. Основы численных методов: учебное пособие. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005. – 304 с.
9. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1; Пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

Comments are closed.