Статья

Название статьи ПРИМЕНЕНИЕ ЗОНДОВОЙ НАНОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ МЕТОДОМ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛЕНКИ ТИТАНА
Автор В.А. Смирнов
Рубрика РАЗДЕЛ I. НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Месяц, год 09, 2014
Индекс УДК 621.38-022.532
DOI
Аннотация Представлены экспериментальные исследования возможностей формировании оксидных наноразмерных структур на поверхности тонкой пленки титана при проведении локального анодного окисления в векторном и растровом режимах. Представлены результаты формирования макетов структур элементов наноэлектроники методом локального анодного окисления в векторном и растровом режимах на поверхности тонкой пленки титана. Исследовано влияние режимов работы атомно-силового микроскопа на процесс ЛАО поверхности тонкой пленки титана. Исследовано влияние длительности импульсов напряжения прикладываемого к системе зонд-подложка на геометрические параметры ОНС титана. Показано, что при увеличении длительности импульсов напряжения от 10 до 100 мс происходит увеличение высоты ОНС от 0,58±0,18 до 1,37±0,32 нм. С использованием растрового метода ЛАО в тонкой пленке титана были получены: макет матрицы из 25 мемристоров, а также макет элемента металлической наноэлектроники на основе наноразмерного канала проводимости с поперечными размерами около 10 нм. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов изготовления элементной базы наноэлектроники с применением зондовых нанотехнологий.

Скачать в PDF

Ключевые слова Нанотехнологии; наноматериалы; атомно-силовая микроскопия; локальное анодное окисление; тонкая пленка титана; оксидные наноразмерные структуры; нанолитография.
Библиографический список 1. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике. – М.: Техносфера, 2005. – 448 с.
2. Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. – М.: Техносфера, 2006. – 160 с.
3. Heinzel T. Mesoscopic Electronics in Solid State Nanostructures. – WILEY-VCH Verlag GmbH & Co, 2007. – 416 p.
4. Curson N. J., Nemutudi R. and Jones G.A.C. Ballistic transport in a GaAs/AlxGa1-xAs one-dimensional channel fabricated using an atomic force microscope // Applied Phyics Letters. – 2001. – № 78. – P. 3466.
5. Смирнов В.А., Агеев О.А. Нанолитография методом локального анодного окисления полупроводников и металлов // Известия ЮФУ. Технические науки. – 2005. – № 9 (53). – С. 61.
6. Агеев О.А., Поляков В.В., Смирнов В.А., Коломийцев А.С. Исследование влияния режимов фотонной стимуляции на процессы нанолитографии методом локального анодного
окисления // Известия ЮФУ. Технические науки. – 2006. – № 9-1 (64). – С. 117.
7. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А. и др. Фотоактивация процессов формирования наноструктур методом локального анодного окисления пленки титана // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 2 (82). – С. 23-30.
8. Авилов В.И., Агеев О.А., Смирнов В.А. и др. Формирование и исследование матрицы мемристоров на основе оксида титана методами зондовой нанотехнологии // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2014. – № 2 (106). – С. 50-57.
9. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А. и др. Исследование режимов фотонностимулированной зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления пленки титана // Нано- и микросистемная техника. – 2008. – № 1 (90). – С. 14-16.
10. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А. и др. Зондовая фотонно-стимулированная нанолитография структур на основе пленки титана // Микроэлектроника. – 2007. – Т. 36, № 6. – С. 403-408.
11. Агеев О.А., Солодовник М.С., Смирнов В.А. и др. Исследование режимов локального анодного окисления эпитаксиальных структур арсенида галлия // Известия ЮФУ. Тех-
нические науки. – 2011. – № 4 (117). – C. 8-13.
12. Агеев О.А. Солодовник М.С., Смирнов В.А. и др. Исследование режимов формирования оксидных наноразмерных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления // Известия вузов. Электроника. – 2012. – № 2 (94). – C. 43-50.
13. МВИ 14-2009 Методика выполнения измерений геометрических параметров массивов оксидных наноразмерных структур методом атомно-силовой микроскопии.

Comments are closed.