Статья

Название статьи ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ С ДВОЙНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРОЙ
Автор Е.А. Рындин, М.А. Денисенко
Рубрика РАЗДЕЛ I. НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Месяц, год 09, 2014
Индекс УДК 621.373.826
DOI
Аннотация На основе анализа фундаментальной системы уравнений полупроводника в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнений кинетики лазеров предложена физико- топологическая модель, позволяющая проводить численный анализ динамики процессов в инжекционных лазерах с учетом их структурно-топологических особенностей, зонных диаграмм, профиля легирования, механизмов спонтанной и стимулированной рекомбинации, неравномерности пространственных распределений концентраций электронов, дырок и фотонов в активной области лазера, особенностей пространственного распределения плотности тока, влияния периферийных областей лазера на его характеристики. Предложенная физико-топологическая модель позволяет, в зависимости от используемых граничных условий, выполнять анализ переходных процессов в лазерах при заданном изменении во времени как тока накачки, так и напряжения на контактах. На основе анализа результатов численного моделирования инжекционных лазеров с двойной гетероструктурой определены границы применимости предложенной диффузионно-дрейфовой модели.

Скачать в PDF

Ключевые слова Инжекционный лазер с двойной гетероструктурой; модель.
Библиографический список 1. Ozyazici M.S. The complete electrical equivalent circuit of a double heterojunction laser diode using scatterring parameters // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. – 2004. – Vol. 6, No. 4. – P. 1243-1253.
2. Lim D.W., Cho H.U., Sung H.K., Yi J.C., Jhon Y.M. A PSPICE circuit modeling of strained AlGaInN laser diode based on the multilevel rate equations // Journal of the Optical Society of Korea. – 2009. – Vol. 13, No. 3. – P. 386-391.
3. Zarifkar A., Ansari L., Moravvej-Farshi M.K. An equivalent circuit model for analyzing separate confinement heterostructure quantum well laser diodes including chirp and carrier transport effects // Fiber and Integrated Optics. – 2009. – No. 28. – P. 249-267.
4. Рындин Е.А., Денисенко М.А. Модель функционально-интегрированных инжекционных лазеров-модуляторов для интегральных систем оптической коммутации // Известия вузов. Электроника. – 2012. – № 6 (98). – С. 26-35.
5. Абрамов И.И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. Ч.II. Модели полуклассического подхода // Нано- и микро-
системная техника. – 2006. – № 9. – С. 26-36.
6. Абрамов И.И., Харитонов В.В. Численное моделирование элементов интегральных схем // Под ред. А.Г. Шашкова. – Минск.: Выш. шк., 1990. – 224 с.
7. Бубенников А.Н., Садовников А.Д. Физико-технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС. – М.: Радио и связь, 1991. – 288 с.
8. Alferov Z.I. Double Heterostructure Lasers: Early Days and Future Perspectives // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics. – 2000. – Vol. 6, No. 6. – P. 832-840.
9. Konoplev B.G., Ryndin E.A., Denisenko M.A. Injection Laser with a Functionally Integrated Frequency Modulator Based on Spatially Shifted Quantum Wells // Technical Physics Letters. – 2013. – Vol. 39, No. 11. – P. 986-989.
10. Ryndin E.A., Denisenko M.A. A Functionally Integrated Injection Laser–Modulator with the Radiation Frequency Modulation // Russian Microelectronics. – 2013. – Vol. 42, No. 6. – P. 360-362.

Comments are closed.