Article

Article title THE SIMULATION OF MULTIPLE-CHARGE CENTERS INFLUENCE ON VOLT-AMPERE CHARACTERISTICS OF METAL-SEMICONDUCTOR JUNCTIONS WITH SCHOTTKY BARRIER
Authors S.A. Bogdanov
Section SECTION II. MATHEMATICAL MODELLING OF PHYSICAL PROCESSES
Month, Year 04, 2013 @en
Index UDC 681.586.72:543.27.08
DOI
Abstract The mathematical model and the simulation of the multiple-charge centers influence on metal-semiconductor junctions with Schottky barrier volt-ampere characteristics are made in this work. The developed mathematical model takes into account quantum mechanical effects during the charge carriers transfer in metal-semiconductor junctions with Schottky barrier and allows forecasting their volt-ampere characteristics. The simulation results meet the experimental data from famous literary sources. The developed mathematical model can be used in computer aided design of integrated circuits elements.

Download PDF

Keywords Schottky diode; potential; Poisson equation; volt-ampere characteristic.
References 1. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. – М.: Советское радио, 1974. – 248 с.
2. Король А.Н., Носенко И.В. Резко нелинейная вольт-амперная характеристика структуры с квантовой ямой, встроенной в обедненный слой барьера Шоттки // Физика и техника полупроводников. – 2010. – № 4. – С. 497–500.
3. Ремнев М.А., Катеев И.Ю., Елесин В.Ф. Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода // Физика и техника полупроводников. – 2010. – № 8. – С. 1068-1073.
4. Богданов С.А., Захаров А.Г., Котов В.Н. Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой // Нано- и микросистемная техника. – 2007. – № 4. – С. 45-47.
5. Богданов С.А., Захаров А.Г., Лытюк А.А. Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки с учетом краевых эффектов // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – № 5. – С. 12-15.
6. Богданов С.А., Захаров А.Г., Писаренко И.В. Влияние многозарядных примесных центров на распределение потенциала в приповерхностной области полупроводника [Электронный ресурс] // Инженерный вестник Дона. – 2013. – № 1. – Режим доступа: http://www.ivdon.ru/magazine/archive/n1y2013/1530 (доступ свободный) – Загл. с экрана.
7. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1973. – 656 с.

Comments are closed.