Article

Article title TEMPERATURES DISTRIBUTION CALCULATION FOR THE SAPPHIRE CRYSTALS GROWTH BY THE HORIZONTAL DIRECTED CRYSTALLIZATION METHOD
Authors S.P. Malyukov, Y.V. Klunnikova, I.V. Kulikova
Section SECTION III. MICROELECTRONICS, SIGNAL PROCESSING
Month, Year 01, 2013 @en
Index UDC 681.518: 666.1/28
DOI
Abstract The temperatures distribution estimation for the sapphire crystals growth equipment by the horizontal directed crystallization method is developed. The calculation was accounted the conductive heat transfer, radiation between heaters and the boat and convective cooling. This calculation allows to estimate the influence of growth equipment thermal, physical and construction properties on sapphire crystallization. This approach allows to solve such problem in the field of sapphire crystals growth as crystals reception with the reduced defects level.

Download PDF

Keywords Technological process; horizontal directed crystallization method; sapphire crystals; temperatures distribution.
References 1. Першин И.М. Анализ и синтез систем с распределенными параметрами. – Пятигорск, 2007. – 244 с.
2. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А. Тепло- и массоперенос при выращивании монокристаллов направленной кристаллизацией. – М.: Физматлит, 2007. – 224 с.
3. Дешко В.И., Карвацкий А.Я., Лохманец Ю.В. Радиационный-кондуктивный теплообмен при росте полупрозрачных кристаллов из расплава // Математическое моделирование.
– 2008. – № 2 (19). – С. 39-43.
4. Zdanov V., Rossolenko S.N., Borodin V.A. Mathematical modeling of the multi-run process of crystal pulling from the melt by EGP (Stepanov) technique in dependence on the angle of the inclination of the working edges of the dies // Cryst. Res. Technol. – 2007. – Vol. 42, № 4. – P. 325.
5. Brandon S., Derby J.J. Internal radiative transport in the vertical Bridgman growth of semitransparent crystals // Journal of Crystal Growth. – 1991. – Vol. 110, № 3. – P. 481-500.
6. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А. Тепло- и массоперенос при выращивании монокристаллов направленной кристаллизацией. – М.: Физматлит, 2007. – 224 с.
7. Малюков С.П., Нелина С.Н., Стефанович В.А. Физико-технологические аспекты изготовления изделий из сапфира. – LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG (Германия. – 2012. – 164 с.
8. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Оптимизация производства изделий из сапфира для электронной техники. – LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG (Германия). – 2012. – 151 с.
9. Малюков С.П., Стефанович В.А., Чередниченко Д.И. Исследование модели самосогласованного роста монокристаллов сапфира по методу горизонтальной направленной кристаллизации // Известия вузов. Электроника. – 2007. – № 2. – С. 3-9.
10. Лебедев Г.А., Малюков С.П., Стефанович В.А., Чередниченко Д.И. Теплофизические процессы при получении кристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Кристаллография. – 2008. – Т. 53, № 2. – С. 356-360.
11. Малюков С.П., Стефанович В.А., Чередниченко Д.И. Релаксация пузырей в расплаве лейкосапфира при получении кристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации // Кристаллография. – 2007. – Т. 52, № 6. – С. 1137-1140.
12. Лыков А.В. Теория теплопроводности. – М.: Высшая школа, 1967. – 600 с.
13. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Моделирование распределения температуры в процессе роста монокристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации в трехмерных координатах // Известия ЮФУ. Технические науки. – 2011. – № 4 (117). – С. 86-94.

Comments are closed.