Article

Article title MATHEMATICAL MODELS EMBEDDED INTO TCAD TO ACCOUNT FOR GAMMA- AND NEUTRON RADIATION EFFECTS ON SEMICONDUCTOR DEVICES
Authors K.O. Petrosyants, M.V. Kozhukhov, D.A. Popov, E.V. Orekhov
Section SECTION II. MATHEMATICAL MODELLING OF PHYSICAL PROCESSES
Month, Year 06, 2012 @en
Index UDC 621.382.3
DOI
Abstract Mathematical models to account for the influence of total dose of gamma radiation and the neutron fluence on the characteristics of submicron transistors is presented in the paper. The procedure of models embedding to the Synopsys TCAD software is described. Simulation of the following dependencies: 1) drain current versus front and back gate voltage and leakage current of the MOS transistor with 90 nm gate length, fabricated on silicon on insulator technology, for different total doses of gamma radiation; 2) damage factor versus neutron fluence for the heterojunction bipolar transistor, fabricated on 0,13-micron silicon germanium technology is performed.

Download PDF

Keywords TCAD; total dose; gamma irradiation; neutron fluence; MOS transistor; heterojunction bipolar transistor.
References 1. Synopsys Sentaurus TCAD, ver. C-2009.06, www.synopsys.com.
2. Никифоров А.Ю., Телец В.А А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. –Радио и связь, 1994.
3. Петросянц К.О., Орехов Е.В., Самбурский Л.М. и др. Трехмерное моделирование рационных токов утечки в су убмикронных МОП-транзисторах со структурой «кремний на изоляторе» // Известия вузо ов. Электроника. – 2010. – № 2 (82). – С. 81-83.
4. Вологдин Э.Н., Смирнов Д. С. Эмпирические соотношения для зависимости коэффициента радиационного изменения времени жизни носителей заряда в кремнии при нейтронном облучении от уровня инжекции и степени легирования // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.– 2010. – Вып. 2. – C. 17-22.

Comments are closed.