Article

Article title DIFFUSION MODEL OF DEGRADATION OF METAL-SEMICONDUCTOR CONTACTS WITH SCHOTTKY BARRIERS
Authors S.A. Bogdanov, A.G. Zakharov, A.A. Lytyuk
Section SECTION 3. ELECTRONICS, RADIO ELECTRONICS AND NANOTECHNOLOGY
Month, Year 01, 2012 @en
Index UDC 681.586.72:543.27.08
DOI
Abstract The diffusion model of degradation of metal-semiconductor contacts with a Schottky barrier due to rearrangement of electrically active impurities via diffusion in internal electric fields is proposed in the paper. The model accounts semiconductor defects induced by electrically active impurities and imperfections of crystal lattice, and diode topology and structure. The model allows to estimate nonfailure operating time of Schottky diodes and can be exploited in CAD systems for IC design.

Download PDF

Keywords Schottky diode; diffusion; potential; degradation; Poisson equation; failure.
References 1. Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические основы надежности контактов металлполупроводник в интегральной электронике. – М.: Радио и связь, 1987. – 256 с.
2. Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. – М.: Атомиздат, 1980. – 280 с.
3. Яншин А.А. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности ЭВА. – М.: Радио и связь, 1983. – 312 с.
4. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1973. – 656 с.
5. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. – М.: Мир, 1964. – 392 с.
6. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – М.: Мир, 1977. – 562 с.

Comments are closed.