Статья

Название статьи ИСТОЧНИКИ ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА ОСНОВЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ КРЕМНИЯ
Автор Е.И. Старченко, П.С. Кузнецов
Рубрика РАЗДЕЛ II. СЛОЖНОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ БЛОКИ СМЕЩЕННЫХ СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ
Месяц, год 02, 2011
Индекс УДК 621.315.722
DOI
Аннотация Рассматриваются схемотехнические способы построения интегральных источников опорного напряжения, определяемых шириной запрещенной зоны кремния и обладающих, наряду с температурной стабильностью, радиационной стойкостью. Проведена оценка чувствительности рассматриваемых источников опорного напряжения к условиям настройки.

Скачать в PDF

Ключевые слова Радиационная стойкость; полевые транзисторы.
Библиографический список 1. Widlar R.J. New development is voltage regulators // Journal of Solid-State Cercuit. – 1971. – Vol. SC-6, № 2. – P. 2-7.
2. Старченко Е.И. Источники опорного напряжения на основе АБМК // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. – 2010: Сб. трудов / Под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. – М.: ИППМ РАН, 2010. – С. 559-564.
3. Старченко Е.И. Особенности схемотехники операционных усилителей, стойких к воздействию потока нейтронов // Микропроцессорные аналоговые и цифровые системы: проектирование и схемотехника, теория и вопросы применения: Материалы III Международ. науч.-практич. конф. – Новочеркасск: ЮРГТУ (НПИ), 2003. – С. 19-23.
4. Дворников О.В. Аналоговый биполярно-полевой БМК с расширенными функциональными возможностями // Chip News. – 1999. – № 2. – С. 21-23.

Comments are closed.