Статья

Название статьи МОДЕЛЬ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ САПФИРА НА КАЧЕСТВО КРИСТАЛЛОВ
Автор Ю.В. Клунникова
Рубрика РАЗДЕЛ V. МОДЕЛИРОВАНИЕ СЛОЖНЫХ СИСТЕМ
Месяц, год 07, 2010
Индекс УДК 681.518
DOI
Аннотация Представлена модель влияния параметров технологического процесса получения монокристаллов сапфира на качество кристаллов. Разработано математическое и информационное обеспечение процесса получения кристаллов сапфира, которое систематизирует большие информационные массивы данных и дает точную характеристику кристаллов.

Скачать в PDF

Ключевые слова Информационная система; технологический процесс получения монокристаллов сапфира; качество; оптимизация.
Библиографический список 1. Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Пищик В.В. Энциклопедия сапфира. – Харьков: НТК «Институт монокристаллов», 2004. – С. 42-200.
2. Кольцова Э.М., Шилов Н.И., Василенко В.А. Алгоритмическое и программное обеспечение для процессов массовой кристаллизации из растворов // Программные продукты и системы. – 1997. – № 1. – С. 37-43.
3. Девятых Г.Г., Ковалев И.Д., Крылов В.А. Информационно-расчетная система «Высокочистые вещества и материалы» // Материалы электронной техники. – 1998. – № 3. – С. 44-51.
4. Шейн Н.Н. Система управления для размерного микрошлифования изделий из сверхтвердых и хрупких материалов // Микроэлектроника и информатика: тезисы докл. Всерос. конф. – М.: МИЭТ, 2007. – С. 261.
5. Чернышев Ю.О., Иванян А.Ю. Программная поддержка расчетов и оптимизации режимов резания // Известия ТРТУ. – 2004. – № 3. – С. 137-140.
6. Иванян А.Ю. Исследование и оптимизация основных показателей систем механической обработки // Известия ТРТУ. – 2004. – № 3. – С. 288-289.
7. Майоров В.С. Система поддержки принятия решений для задачи выбора оптимальных режимов лазерной закалки // Физика и химия обработки материалов – 2001. – № 2. – С. 91-94.
8. Суслов А.Г., Бишутин С.Г., Медведев Д.М. Автоматизация расчета нормальной контактной жесткости стыков плоских поверхностей шлифованных деталей // Вестник Брянского государственного технического университета. – 2006. – № 2. – С. 135-139.
9. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Моделирование процесса выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Деп. в ВИНИТИ. – 2007. – № 2-В2007. – С. 1-13.
10. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Программа расчета и выбора параметров роста монокристаллов лейкосапфира // Св. об офиц. рег. прогр. для ЭВМ № 2008612944. 2008.
11. Малюков С.П., Лапшина И.В., Клунникова Ю.В. Информационная система получения монокристалла лейкосапфира // XV Туполевские чтения: тезисы докл. Междунар. конф. (Казань, 9-10 нояб. 2007 г.). – Казань, 2007. – Т. 3. – С. 128-131.
12. Рыбина Г.В. Интегрированные экспертные системы: современное состояние, проблемы и тенденции // Известия академии наук. Теория и системы управления. – 2002. – № 5. – С. 111-126.
13. Адлер Ю.П. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий. – М.: Наука, 1971. – С. 38-115.
14. Саутин С.Н., Пунин А.Е. Мир компьютеров и химическая технология. – Ленинград: «Химия», 1991. – С. 40-89.
15. Малюков С.П., Нелина С.Н. Снижение количества дефектов в монокристаллах сапфира за счет стабилизации градиента температуры теплового поля // Труды десятой международной научной конференции и школы-семинара Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. – Таганрог, 2006. – С. 82-84.
16. Дзюба А.С., Ионг Зу. Взаимодействие газовых пузырьков с фронтом кристаллизации расплава // Кристаллография. – 1985. – Т. 30, № 6. – С. 1177-1180.

Comments are closed.